Realme GT 2 Pro отримає новий флагманський чип Qualcomm та надшвидку зарядку потужністю 125 Вт

Діалоги

Китайський інсайдер під ніком WhyLab поділився в соцмережі Weibo інформацією про майбутній флагманський смартфон Realme GT 2 Pro, який стане першим пристроєм бренду з підтримкою надшвидкої зарядки потужністю 125 Вт.

Минулого місяця віце-президент Realme Мадхав Шет заявив, що компанія планує випустити “ультрапреміальний флагман” серії GT і наступного року бренд розпочне комерціалізацію зарядки UltraDart потужністю 125 Вт.

Тепер інсайдер WhyLab розкрив деякі специфікації пристрою. За його словами, Realme GT 2 Pro отримає 6,51-дюймовий AMOLED-екран з роздільною здатністю Full HD+, частотою оновлення 120 Гц і вирізом під селфі-камеру на 32 Мп, основну камеру на 50 Мп з оптичною стабілізацією зображення, флагманський чип Qualcom 8 Gen 1 (Snapdragon 898), 8/12 ГБ оперативної пам’яті LPDDR5 та накопичувач об’ємом до 512 ГБ стандарту UFS 3.1.

Очікується, що Realme GT 2 Pro буде коштувати від 4000 юанів.