Наука

Електроніка майбутнього стане надійнішою. Американські вчені знайшли спосіб виявляти приховані дефекти у надтонких матеріалах

27 фев•NV

Американські дослідники з Університету Райса зробили вагомий крок у розвитку надтонкої електроніки, розробивши унікальну методику виявлення прихованих структурних вад.

Це відкриттямає вирішальне значення для виробництва передових транзисторів, фотодетекторів та квантових пристроїв, створення яких базується на пошаровому накладанні двовимірних матеріалів один на одного.

Читайте також:

Захист від ядерних загроз. Американська компанія Micross представляє надшвидкий детектор випромінювання Одним із ключових елементів такої «сендвіч-архітектури» є гексагональний нітрид бору (hBN) — ідеально плаский ізолятор, що цінується за свою хімічну стабільність. Проте, як з’ясувала група під керівництвом доцента Хе Йон Лі, цей матеріал часто містить приховані дефекти пакування. Ці дефекти нагадують вузькі складки, що виникають між сторінками книги під час їх зміщення. Вони діють як мікроскопічні «кишені» для електричних зарядів, що локально послаблюють ізоляційні властивості матеріалу та спричиняють передчасні поломки пристроїв при низьких напругах.

Експериментальним шляхом вчені довели,

що звичні методи обробки матеріалів, як-от відокремлення тонких лусочок за допомогою клейкої стрічки та їх перенесення на кремнієві пластини, провокують появу деформацій. Під звичайними оптичними або атомно-силовими мікроскопами ці поверхні виглядають бездоганно гладкими. Однак використання катодолюмінесцентної спектроскопії дозволило зафіксувати випромінювання глибокого ультрафіолетового світла, яке й виявило яскраві «лінії пошкоджень», невидимі для інших методів.

Дослідження показало, що дефекти утворюються частіше у товстіших чешуйках матеріалу. Через ці структурні аномалії два ідентичні за виглядом пристрої можуть працювати абсолютно по-різному: один виконуватиме свої функції, а інший — пропускатиме струм там, де має бути ізоляція. Розроблений комбінований підхід, що поєднує електронну мікроскопію та картування випромінювання, дозволяє відсіювати браковані компоненти ще на етапі виробництва.

За словами авторів роботи, ця методика є універсальною і може бути застосована до інших шаруватих матеріалів. Це відкриває шлях до створення нового покоління надійної електроніки, де кожен атом перебуває на своєму місці, забезпечуючи стабільну роботу надскладних обчислювальних систем.

Читайте також:

Гібрид рідини й твердого тіла. Дослідники знайшли незвичну форму металу

Бор

Читайте еще