Intel Foundry презентувала прорив у сфері мікроелектроніки — чиплет з нітриду галію (GaN), товщина якого складає лише 19 мікрон, що приблизно у п’ять разів тонше за людську волосину. Особливість цієї розробки полягає у поєднанні транзисторів на основі GaN із кремнієвими схемами на одному кристалі, завдяки чому вдалося об’єднати переваги обох матеріалів.
Об’єднання кремнію та нітриду галію на одній платформіСучасна електроніка стикається з проблемою різноманітності матеріалів: кремній ідеально підходить для логічних операцій та обчислень, а нітрид галію забезпечує високу швидкість перемикання і витримує значні навантаження. Раніше ці матеріали використовувалися окремо, що ускладнювало конструкцію пристроїв. Інженери Intel вперше змогли інтегрувати GaN-транзистори та кремнієві схеми на стандартних 300-міліметрових пластинах, що дозволяє створювати компактніші пристрої з підвищеною енергоефективністю і меншою кількістю компонентів.
«Інтеграція GaN безпосередньо в кремнієву екосистему на 300-міліметрових пластинах дозволяє створювати пристрої, де складні обчислювальні функції та енергоефективне керування живленням живуть в одному “будинку”».
Така технологія особливо важлива для центрів обробки даних, де енергоспоживання серверів є критичним питанням. Завдяки більш швидкому перемиканню GaN у порівнянні з кремнієм, втрати енергії суттєво зменшуються, а стабілізатори напруги можна розміщувати безпосередньо поруч із обчислювальними ядрами. Це підвищує ефективність живлення та знижує потенційні точки відмови системи.
Зображення поперечного перерізу демонструє силовий транзистор на основі нітриду галію (GaN) і логічний транзистор на основі кремнію, розташовані поряд на одній і тій же 300 мм кремнієвій підкладці GaN. Ілюстрація: IntelНові можливості для телекомунікацій та інфраструктуриРозробка Intel має особливе значення для бездротового зв’язку. GaN-транзистори демонструють чудові високочастотні властивості, що дозволяє використовувати їх у базових станціях 5G та майбутніх мереж 6G. Технологія здатна працювати на частотах понад 200 ГГц, відкриваючи шлях до швидшої передачі даних у сантиметровому та міліметровому діапазонах.
Слід зазначити, що такі чиплети призначені не для побутових гаджетів, а для інфраструктурних рішень, які забезпечують роботу смартфонів та інших пристроїв. Виробництво нових мікросхем на стандартних 300-мм лініях дає змогу масштабувати технологію, що відкриває перспективи для широкого впровадження у сфері енергетики та телекомунікацій.
Поки Intel розширює межі технологічних стандартів, інші виробники вже впроваджують подібні концепції високої щільності компонентів, демонструючи актуальність і попит на компактність та потужність у сучасних системах.
