Фахівці з IBM Research вперше показали спосіб надійного зберігання 3 бітів даних в комірці, використавши відносно нову технологію, відому як пам'ять зі зміною фазового стану (PCM).
У пам'яті PCM одному логічному рівню відповідає аморфний стан речовини (низькій рівень провідності), другому - кристалічний (високий). Крім цього, технологія - енергонезалежна, тобто інформація зберігається навіть при відсутності живлення. Від поширеної флеш-пам'яті вона відрізняється високою швидкодією і тривалим терміном служби - число циклів перезапису становить не менше 10 млн. Для порівняння, сучасна флеш-пам'ять, яка використовується в SSD і flash-накопичувачах, витримує близько 3000 перезаписів.
На думку фахівців IBM, пам'ять PCM може використовуватися самостійно або разом із флеш-пам'яттю. У другому випадку PCM виступає в ролі високошвидкісного буфера. Використання нової розробки значно підвищить обсяги пам'яті, що зберігається на накопичувачах.
