Samsung Electronics завершила розробку найшвидших у галузі мікросхем пам'яті LPDDR5X. Для цих нових чіпів, що виготовляються за технологією 12-нм класу, заявлено швидкість передачі даних 10,7 Гбіт/с на контакт (режим LPDDR5X-10700). Завдяки виробничим нормам Samsung удалося збільшити ємність однієї BGA-мікросхеми LPDDR5X до 32 ГБ.
Серійне виробництво чіпів LPDDR5X-10700 у Samsung планують налагодити у другій половині цього року. Високошвидкісні мікросхеми мають знайти застосування у системах штучного інтелекту, мобільних гаджетах, персональних комп'ютерах, автомобілебудуванні та інших сферах.
Як підкреслюють у Samsung, порівняно з чіпами LPDDR5X минулого покоління новинки пропонують на 25% кращу енергоефективність, більш ніж на 30% більшу ємність і на 25% кращу швидкодію.
