Технологічний прорив у світі пам'ятіSamsung зробила безпрецедентний крок у розвитку флеш-пам'яті, створивши перший у світі 900-шаровий чіп V-NAND. Цей інноваційний продукт безпосередньо націлений на зростаючий ринок інфраструктури штучного інтелекту та дата-центрів.
Революційна технологія Cell Multi-BondingКлюч до успіху — технологія Cell Multi-Bonding (CMB), яка дозволяє об'єднати два 450-шарові модулі в єдиний чіп. Такий підхід не тільки збільшує густину зберігання даних, але й суттєво знижує енергоспоживання пристроїв.
Гонка технологійПоточна розробка Samsung ставить компанію попереду основних конкурентів, включаючи SK Hynix із їхніми 321-шаровими чіпами. Більш того, Samsung вже готує пам'ять десятого покоління з більш ніж 400 шарами, демонструючи безперервне прагнення технологічного лідерства.
Технічні інноваціїІнженери Samsung не лише збільшили кількість шарів, а й оптимізували внутрішню структуру чіпа. Удосконалені Bitline та Wordline дозволили зменшити розміри та знизити енергоспоживання, вирішивши складні технічні проблеми вертикального стікання.
Глобальний контекстРозробка прискорена зокрема конкуренцією з боку китайської YMTC, яка вже виробляє 294-шарові NAND-чіпи. Це підтверджує тезу про те, що технологічні перегони в напівпровідниковій індустрії не зупиняються ні на хвилину.
Джерело: ETNews
Повідомлення 900 верств інновації: Samsung готує революційний чіп пам'яті для епохи ІІ href="https://itnet.com.ua">ITnet.
