Університет Пердью та GeChi Compound Semiconductor підписали п'ятирічний меморандум для виробництва напівпровідників із карбіду кремнію.
Про це повідомляєInteresting Engineering.
Американський виш надасть необхідну інфраструктуру, а тайванська компанія впровадить технології у виробниче середовище.
«Поєднуючи наші виробничі масштаби з провідною академічною установою Америки, ми вживаємо рішучих дій для забезпечення внутрішнього ланцюга постачання карбіду кремнію», — заявив голова правління GCCS Куан-Мін Сюн. «Ця співпраця стосується […] створення стійких, високопродуктивних виробничих потужностей у США які є абсолютно необхідними для національної технологічної безпеки та майбутнього глобальної критичної інфраструктури».
Карбід кремнію має вищу теплопровідність за звичайний матеріал і працює при температурі понад 200 °C. Пристрої з нього швидше перемикаються та втрачають менше енергії, що дозволяє інженерам створювати легші й ефективніші силові модулі.
Дослідники шукатимуть спосіб усунути дефекти кристалів для випуску 8- і 12-дюймових пластин. Це має розв’язати проблеми охолодження, передачі енергії та зв’язку 6G, що згодом сформує матеріальну базу для технологій штучного інтелекту.
Втім, нарощування карбіду кремнію потребує температур понад 1500 °C і точної хімії. Навіть дрібні відхилення створюють мікродефекти, а висока твердість матеріалу ускладнює подальше полірування. Та й фінансовий аспект залишається проблемою, адже коштують такі пластини значно дорожче за кремнієві аналоги.
Економічна вигода технології прямо залежить від досягнення високого відсотка виходу придатної продукції без браку.
Читайте також:
Серце квантових технологій. У США планують випустити комп’ютери потужністю до 2 мільйонів кубітів
