Науковці розробили підхід, що дає змогу контролювати місце появи зародків кристалів двовимірних напівпровідників. Метод використовує так званий травильний флюс і дозволяє просторово програмувати вирощування великих монокристалів напівпровідникового матеріалу, повідомляє Nature.
Контроль над початком ростуНапівпровідникові кристали ростуть із дуже малих зародків. Водночас точне керування позицією, у якій формується такий зародок, є складним завданням. Місце його утворення здатне впливати на властивості кристала.
Просторово програмоване вирощуванняЗапропонований підхід обмежує позицію формування зародка кристала. Завдяки цьому можна визначати місце початку росту та отримувати великі монокристали напівпровідникового матеріалу.
Роботу, присвячену просторово детермінованому зародженню двовимірних напівпровідників за допомогою травильного флюсу, опублікували Пак та співавтори в журналі Nature. Короткий огляд дослідження вийшов 7 жовтня 2026 року.
