Компанія Samsung Electronics оголосила про початок серійного випуску однокристальних систем за 10-нанометровою технологією FinFET другого покоління. Цей техпроцес називається 10LPP (Low Power Plus).
Така продукція перевершує чіпи, виготовлені з використанням 10-нанометрового техпроцесу першого покоління 10LPE (Low Power Early), за продуктивністю або енергоспоживанням. Чіпи будуть потужнішими на 10%, а зниження енергоспоживання при збереженні продуктивності може досягати 15%.
Оскільки 10LPP є розвитком вже обкатаного техпроцесу, виробникові вдалося істотно скоротити цикл освоєння нових виробів з отриманням високого відсотка виходу придатної продукції в перших партіях.
Перші однокристальні системи, виготовлені за техпроцесом 10LPP, з’являться в електронних пристроях на початку 2018 року. Новітня лінія S3 готова нарощувати випуск 10-нанометрової продукції відповідно до потреб ринку. До речі, це підприємство обрано і для освоєння в серійному виробництві 7-нанометрової технології FinFET з використанням EUV.
