Компанія SK Hynix першою на ринку представила мікросхеми пам’яті GDDR5 щільністю 24 Гбіт.
Нові мікросхеми будуть вироблятися за техпроцесом 1anm, який являє собою четверте покоління 10-нанометрового техпроцесу і передбачає використання EUV-літографії.
Hynix говорить про поліпшену виробничу ефективність, на 33% більшу швидкість і на 25% менше енергоспоживання. Найважливіше – нові мікросхеми дозволяють створювати модулі пам’яті об’ємом 48 і 96 ГБ. Саме такі рішення першими отримають нові мікросхеми, але, ясна річ, це продукція для ЦОД, а не для споживчого сегменту.
Крім того, подібні модулі будуть орієнтовані на високопродуктивні сервери для обробки великих даних, роботи з ШІ тощо.
