Будівля TSMC, ілюстративне фото
Фото: 李 季霖, CC BY-SA 2.0 Президент США Дональд Трамп разом із генеральним директором Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC) Ч.Ч. Веєм оголосили про найбільшу в історії США іноземну інвестицію — $100 млрд. Ці кошти підуть на будівництво п’яти передових заводів з виробництва чипів в Аризоні.
Виступаючи на заході, Трамп наголосив, що інвестиція забезпечить створення тисяч високооплачуваних робочих місць, пришвидшить технологічний розвиток країни та зменшить залежність від іноземних виробників. Загальний обсяг вкладень TSMC у США тепер складає близько $165 млрд.
Ч.Ч. Вей заявив, що нові фабрики випускатимуть чипи, які підтримуватимуть розвиток штучного інтелекту та смартфонів. Міністр торгівлі Говард Латник зазначив, що залучення TSMC — це результат стратегії Трампа щодо повернення виробництва напівпровідників до США.
У свою чергу Китай готує директиву щодо впровадження відкритої архітектури чипів RISC-V на національному рівні, про це повідомляє AOL.com.
Це стане першим офіційним кроком до зменшення залежності від західних технологій.
Документ розробляють вісім відомств, включаючи Міністерство промисловості та інформаційних технологій і Адміністрацію кіберпростору Китаю.
Очікується, що керівництво буде опубліковане вже в березні, однак дата може змінитися. На тлі цих новин акції китайських виробників чипів різко зросли: VeriSilicon додала 10%, ASR Microelectronics — 8,6%, Shanghai Anlogic Infotech — 15,4%.
RISC-V — це відкрита архітектура процесорів, здатна замінити технології Intel, AMD і Arm. Китайські компанії активно впроваджують її через низьку вартість та відсутність геополітичних ризиків. У США, навпаки, занепокоєні можливим посиленням китайської мікроелектронної галузі.
Раніше повідомлялося, що Міністерство цифровізації Польщі представило національний мовний ШІ PLLuM, який стане ключовим інструментом для розвитку бізнесу, держуправління та цифрових сервісів.
Також стало відомо, що Китай вводить додаткові мита на вугілля, газ і нафтопродукти зі США у відповідь на торговельні обмеження, пов’язані з контролем фентанілу.
