На конференції Future of Memory and Storage (FMS) 2026 компанія Samsung Electronics представила новітні розробки в сфері напівпровідникової пам'яті, підтвердивши своє лідерство на ринку. Поряд із зростанням конкуренції у сегменті високопродуктивних рішень, Samsung продемонструвала низку інноваційних концептів і прототипів, які мають потенціал суттєво змінити архітектуру обчислювальних систем, особливо для потреб штучного інтелекту.
Революційна архітектура пам'яті zHBMНайбільший інтерес учасників заходу викликала нова архітектура пам'яті zHBM. Відмінною рисою цієї технології є розташування чипів HBM (High Bandwidth Memory) не поруч із графічним процесором або ШІ-прискорювачем, як це робиться зараз, а безпосередньо над ним. Такий підхід дозволяє значно скоротити відстань для проходження сигналу, відкриваючи нові можливості для підвищення продуктивності.
Інженери Samsung Semiconductor прогнозують, що нова компоновка забезпечить восьмиразове зростання продуктивності у порівнянні з майбутнім стандартом HBM5, а також десятикратне збільшення щільності і триразове покращення енергоефективності.
До того ж, очікується зниження теплового опору на 50%, що особливо важливо для систем із високим енергоспоживанням. Водночас у компанії наголошують, що ці дані поки що базуються на теоретичних розрахунках концепції, а не на результатах випробувань готових пристроїв.
«За розрахунками інженерів Samsung Semiconductor, така компоновка дозволить отримати 8-кратний приріст продуктивності порівняно з майбутнім стандартом HBM5. Окрім швидкості, обіцяють 10-кратне збільшення щільності та втричі кращу енергоефективність. Окремий бонус — зниження теплового опору на 50%, що критично для систем, які споживають сотні ват. Щоправда, компанія одразу уточнює: це лише теоретичні розрахунки концепції, а не результати тестів реального «заліза».
400-шаровий V-NAND із BV-технологієюЩе одним значущим досягненням Samsung став прототип V10 Bonding V-NAND, який має понад 400 шарів. Для створення цієї пам'яті використовується технологія Bonding Vertical (BV), що дозволяє виготовляти масиви комірок пам'яті та логічні елементи окремо, а потім поєднувати їх у цілісну структуру. Такий підхід не лише підвищує щільність зберігання даних на 58% у порівнянні з актуальною версією V9,
а й покращує швидкість читання й запису. Окрім цього, на виставці презентували концепцію zNAND-O, розроблену для периферійних ШІ-систем, де вирішальне значення має мінімальна затримка обробки інформації безпосередньо на місці.
Серед інших новинок — корпоративні SSD-накопичувачі PM1763 та BM1773, а також пам'ять LPDDR5X-PIM (Processing-in-Memory), яка здатна виконувати частину обчислень прямо всередині чипів пам'яті, тим самим зменшуючи навантаження на основний процесор.
Тренди ринку та перспективи застосуванняSamsung також оновила дорожню карту розвитку продуктів для корпоративного сегменту. Попри амбітні заяви, компанія поки не повідомила про терміни виходу серійних пристроїв і їхню вартість. На даному етапі презентовані розробки демонструють технологічні можливості Samsung і окреслюють тенденції, які формуватимуть майбутнє дата-центрів, зокрема для задач штучного інтелекту. Залишається відкритим питання повної сумісності нових типів пам'яті з прискорювачами NVIDIA чи AMD, оскільки прототипи ще мають пройти незалежні випробування.
Паралельно з розвитком апаратної частини індустрії, змінюються й підходи до програмного забезпечення та інтерфейсів. Зокрема, на ринку відбувається перехід від традиційної команди «Окей Google» до використання Gemini як основного інструменту взаємодії з системами штучного інтелекту.
