Технології

Samsung розкрив ультрашвидкісну HBM4E: прорив для ІІ-систем з 3.6 ТБ/с

29 трв•ITnet

Технологічний прорив у пам'яті для ІІSamsung робить черговий ривок у гонці апаратних рішень для штучного інтелекту, представляючи революційну пам'ять HBM4E. Новий стандарт пам'яті обіцяє кардинально прискорити роботу нейронних мереж та великих мовних моделей.

Технічні характеристики, які вражаютьКлючові особливості HBM4E:

Пропускна спроможність: 3.6 ТБ/с на стек
Швидкість передачі даних: 14 Гбіт/с (з потенціалом до 16 Гбіт/с)
Об'єм пам'яті: 48 ГБ у 12-шаровій конфігурації
Поліпшена енергоефективність на 16%
Зниження теплового пакету на 14%

Інженерні рішення майбутньогоГоловна перевага нової пам'яті — не лише гранична швидкість, а й інтелектуальний підхід до охолодження та енергоспоживання. Samsung фактично вирішує дві критичні проблеми високопродуктивних обчислень: перегрів та енерговитрати.

Стратегія виходу на ринокЗараз Samsung розсилає досвідчені зразки ключовим клієнтам, включаючи можливі постачання для Nvidia та AMD. Масове виробництво HBM4E стартує протягом найближчих місяців, що остаточно підтверджує серйозність намірів корейської компанії домінувати на ринку пам'яті для ІІ.

У найближчих планах виробника — розширення лінійки до 32 ГБ і 64 ГБ, що дозволить задовольнити потреби найвибагливіших систем штучного інтелекту, що зростають.